本站上海世贸网通讯员消息：据观察者网报道，国产芯片崛起有望了。在中兴通讯宣布5G基站7nm芯片实现商用的同一天，首个基于中芯国际“FinFET N+1”先进工艺的芯片流片和测试全部完成，且一次性通过！这一定程度上意味着国内芯片产业再次突破瓶颈，相关制造技术更是有了质的飞跃，难道告别光刻机的时代就要来了？

N+1的7nm工艺，困难重重但市场广阔 据了解，目前的高端芯片离不开ASML公司制造的全球最新先进的EUV光刻机，这一定程度上算是业界“共识”。但中芯国际指出，由于此前订购的EUV光刻机依然因为阻挠而并未完成交易，因此目前所有的N+1和N+2项目都是在脱离EUV光刻机的情况下制造的。更重要的是，尽管光刻机技术达不到，但中芯国际此次一次性通过的芯片测试就采用了7nm工艺，唯一的问题是在性能上有所缩减，没有达到国际标准的7nm性能要求。

但要注意的是，利用超规格工艺完成的技术进步一定程度上已经可以说是相当大的进步了，全球可以量产7nm工艺芯片的代工厂也不过就台积电和三星两家，中芯国际的这一突破完全可以说正有“弯道超车”的势头。要知道，流片测试本身就是芯片量产前必经的道路，在当前状态下测试顺利通过就意味着量产的到来并不会很远。中芯国际方面表示，年底会进入小批量生产并交由用户测试的状态，当测试结束后芯片就有量产的可能。

目前紧随三星身后的英特尔可能要到2023年才会生产出7nm芯片，这就无疑给了中芯国际挤进全球前三行列的可能。当然，实事求是地讲，在没有EUV光刻机的情况下短期内同前两位竞争是相当困难的，但考虑到民用行业大部分低功耗需求其实已经足够，这就意味着中芯国际依然能够通过中国的市场拓展出一片全新的领域。而且从未来发展前景看，告别他国光刻机的时代其实也不远了。

中国早已不缺人才和资金，技术只是时间问题 对于中国来说，理论上的壁垒往往才是一个行业的弱项，因为这需要的是工业发展带来的前沿理论和经验，但在技术上的突破一般来说都要漫长的时间和成千上万工程师技术的积累，但在中国目前正在日益庞大的相当规模的技术团队面前，这些技术问题实际上需要的只是数年的“吃苦”。当然，就中国对全球的影响力而言，无论是技术团队还是企业家都不希望做到任何一个零件都能够从炼铁到设计生产一步到位，中国已经有了全球唯一的全产业链，而这付出的代价是无数老一辈人的艰苦奋斗。

一直坚持“互利共赢”的中国自然是不希望再用大量工程师和热血青年的青春时光换更多的技术，但从现在的情况看已经是不得不去做的事情了。所以，7nm的工艺已经代表了中国工业的“奇迹”，未来国产芯片崛起有望，而光刻机技术在可预见的几年时间里还会进一步发展，所谓的封锁不过是一张漏洞百出的“渔网”，中国人的团结和对技术的追求本身就不亚于全球任何国家，而在此之后，告别了国外光刻机的人们将不可阻挡地继续走向世界。 眼下的中国，拥有着足够的底气，还有了众多国际上的“朋友”，单个产业靠着大量资金的流入和支持，持续长久地公关必然是能够实现的。更为重要的是，目前的政策支持已经板上钉钉了，中芯国际7nm工艺的N+1芯片的突破不仅会给这一产业带来新的希望，也是给半导体和相关技术领域打上了“强心针”，产业未来的发展几乎是一片光明的。